類型

型號

特性

正膠

AR-P 1200

適合噴涂（Spray Coating）的正性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護粗糙的襯底表面，可用于復雜工藝。

AR-P 3100

高靈敏度光刻膠.膠膜薄且均勻. 在玻璃和鍍鉻表面附著力好，可用于光學器件加工,掩膜制作等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的線條（幾十納米）。

AR-P 3200

黏度大，可得到厚膠膜，厚度可達幾十微米，甚至上百微米。膠膜覆蓋能力好，適合粗糙的 Wafer 表面涂膠，可很好的保護結構邊緣。圖形剖面邊緣陡直。適合做LIGA或電鍍工藝等。

AR-P 3500
AR-P 3500T

于集成電路制造中的掩膜加工。 高敏感、高分辨率且在金屬和氧化物表面附著力好。其中，AR-P 3500T是針對 AR-P 3500 系列進行優化，而新研制的一種光刻膠；性能和AR-P 3500相似，同時還具備了良好的耐等離子刻蝕性能，以及大的工藝寬容度。

AR-P 3740
AR-P 3840

高分辨率光刻膠，制作亞微米結構，適于高集成電路制作。光刻膠表面平整均勻，高敏感度、高對比、工藝寬容度大。 AR-P 3840為染色的光刻膠，可以降低駐波和散射等的影響。

AR-P 5300

Lift-off工藝用膠，利用普通的光刻工藝便可很容易得進行剝離工藝。高敏感、高分辨率， 且與金屬和氧化物表面附著良好。

圖像反轉膠

AR-U 4000

圖形反轉膠，通過調整工藝參數可實現正膠或負膠性能。圖形反轉工藝后，光刻膠呈現負膠性能，可以得到非常明星的倒梯形結果，用于lift-off工藝。

負膠

AR-N 2200

適合噴涂的負性光刻膠，高靈敏度。膠層表面非常平整,且可很好的保護粗糙的襯底表面，可用于復雜工藝。

AR-N 4240

紫外、深紫外曝光，可做lift-off工藝。 i線、深紫外曝光。適合制作亞微米圖形，專為滿足先進集成電路制造中的關鍵工藝要求而設計。良好的耐等離子體刻蝕性能，在金屬和氧化物表面的附著力好，并可用于lift-off工藝。

AR-N 4340

化學放大膠，紫外曝光，可做lift-off工藝。 i線、g線曝光?；瘜W放大膠，高靈敏度，高分辨率，高對比度，在金屬和氧化物表面附著力好，可用于lift-off工藝。

AR-N 4400

厚膠，化學放大膠，可以做lift-off工藝。 i線、g線、深紫外、X-ray、電子束等都可以實現曝光。涂膠厚度從幾十微米到上百微米，覆蓋能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率?；瘜W放大膠，靈敏度也非常高?？捎糜贚IGA、電鍍等工藝。 采用堿性水溶液顯影，除膠非常容易，可以替代傳統的SU8膠。

SX AR-N 4600-10/3 
SX AR-N 4650-10/4
NEW!

紫外負膠（厚膠），適用于LIGA及MEMS應用，涂膠厚度 10um@1000rpm。SX AR-N 4600-10/3 : 結構穩定性好、重復性好，厚度可達幾百微米，適用于永久保留膠體結構的應用，SX AR-N 4650-10/4 : 容易去膠，適合于電鑄工藝。

類型

型號

特性

顯影液

AR 300-26, -35

紫外光刻膠用 顯影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/電子束光刻膠用 顯影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA膠用 顯影液

定影液

AR 600-60,-61

電子束光刻膠用 定影液

除膠劑

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/電子束光刻膠用 除膠劑

稀釋劑

AR 600-01…09

PMMA膠 稀釋劑

AR 300-12

紫外/電子束光刻膠用 稀釋劑

增附劑

AR 300-80, HMDS

紫外/電子束光刻膠用 增附劑