型號

特性

導電膠
AR-PC 5090
AR-PC 5091
NEW!

電子束曝光用導電層，不含光敏物質。
在絕緣襯底上做電子束曝光時，為了避免電荷累積，大家通常會選擇涂一層導電膠，來消除電荷累積。在正常的曝光結束后，導電膠會溶于水中，非常容易去除，不會影響正常的電子束曝光工藝。

AR-BR 5400

雙層Lift-Off工藝底層膠
可以得到穩定的Lift-off結構，利于金屬的沉積。在制作雙層工藝時，需要和正膠AR-P 3500或AR-P 3500T配合使用。從270nm到紅外區，有良好的光學透明性，熱穩定性好。

AR-PC 500

耐酸堿保護膠
在酸堿中有很好的耐刻蝕性能，不含光敏物質。尤其在堿性環境（40% KOH）中非常穩定。一般涂于襯底背面，防止刻蝕工藝中的化學物質損害其背面結構。503顏色為黑色，較504耐刻蝕性能稍弱。

SX AR-PC 5000/40

耐酸堿保護膠
在酸堿中有很好的耐刻蝕性能，不含光敏物質。在40%的KOH和50%的HF中，具有很好的保護作用的，耐刻蝕時間可以長達數小時。另外，還可以和正膠配合使用，通過雙層工藝來制作圖形。

AR-P 5910

耐HF酸刻蝕光刻膠，正膠
對基底有很好的粘附性，一般用于低濃度的HF，在5% 以下的HF 酸中有很好的保護作用。

X AR-P 5900/4

耐堿刻蝕光刻膠，正膠
主要用于耐堿刻蝕以及保護層。光刻膠可以在2n（2mol/L）的NaOH中可以穩定很長時間。

SX AR-PC 5000/80

聚酰亞胺光刻膠，不含光敏物質
熱穩定性光刻膠，在400℃時仍然很穩定。不含光敏物質，但是可以和正膠配合使用，通過雙層工藝來制作圖形?？梢杂糜谥谱鱾鞲衅鞑牧?、保護層及絕緣層。

SX AR-PC 5000/82

聚酰亞胺光刻膠，紫外正膠
熱穩定性光刻膠，正膠，在400℃時仍然很穩定。具有良好的耐等離子刻蝕性能，可用于離子注入工藝。

X AR-P 5800/7

深紫外曝光膠，正膠
深紫外曝光（248 - 265 nm 和300 - 450 nm），在這個波長范圍內，光刻膠的透射率高。耐刻蝕性能好。適合接觸曝光，曝光過程中，產生的氮氣少，可以提高圖形質量。

SX AR-P 3500/6

全息曝光用膠，正膠
在長波段具有很好的靈敏度，敏感波段為（308 – 500nm），主要用于全息曝光工藝。

SX AR-N 4810/1

有機溶劑顯影光刻膠（用于無水環境），負膠
基于PMMA的負膠，曝光波長230 – 440nm。主要用于工藝中襯底材料對水敏感，需要無水環境操作的情況。采用有機溶劑顯影，避免了水或潮氣對襯底材料的破壞。

SX AR-P 8100.04/1 
NEW!

PPA直寫膠
適用于熱探針直寫及電子束曝光，高分辨率（10nm），無需顯影過程，涂膠厚度：100nm@4000rpm ，200nm@1000rpm 。不含光敏物質，無需黃光室。

類型

型號

特性

顯影液

AR 300-26, -35

紫外光刻膠用 顯影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/電子束光刻膠用 顯影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA膠用 顯影液

定影液

AR 600-60,-61

電子束光刻膠用 定影液

除膠劑

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/電子束光刻膠用 除膠劑

稀釋劑

AR 600-01…09

PMMA膠 稀釋劑

AR 300-12

紫外/電子束光刻膠用 稀釋劑

增附劑

AR 300-80, HMDS

紫外/電子束光刻膠用 增附劑