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電子束光刻膠 e-beam resist
咨詢購買
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德國Allresist 電子束光刻膠 (e-beam resist)
類型 |
型號 |
特性 |
正膠 |
SX AR-P 6200 NEW! |
超高分辨率電子束正膠,通過簡單的工藝即可得到10nm甚至更小的結構。超高深寬比(20:1)、超高對比度(>15)。良好的耐干法刻蝕性能,是傳統PMMA膠的2倍。 完全可以取代ZEP膠,經濟實惠,并且采購簡單,包裝規格多樣化。 |
AR-P617 PMMA/MA共聚物 |
適合目前各種應用需要的電子束光刻膠。靈敏度高,是普通PMMA膠的3~ 4倍,對比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通過雙層工藝實現lift-off工藝。 |
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PMMA(polymethyl methacrylate)是電子束曝光工藝中最常用的正性光刻膠,是由單體甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, MMA)經聚合反應而成。 PMMA膠最主要的特點是高分辨率、高對比度、低靈敏度。 PMMA膠種類齊全,不同的系列中包含了各種分子量(50K, 200K, 600K, 950K),各種溶劑(氯苯,乳酸乙酯,苯甲醚)以及各種固含量的PMMA膠,以滿足各類電子束光刻的工藝要求。 PMMA膠可用于單層或雙層電子束曝光、轉移碳納米管或石墨烯、絕緣層等多種工藝。 (注:工廠可根據用戶的需求,定制所需分子量、固含量的PMMA膠。)
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AR-P 6510 |
AR-P 6510是在PMMA的基礎上開發的厚膠。 另外,廠商可以根據客戶的具體需求來生產其他分子量的LIGA工藝用膠。主要用于LIGA工藝和X-Ray 曝光工藝。此類光刻膠型號齊全,厚度從10~250μm不等,圖形剖面陡直。 |
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負膠 |
AR-N 7520 AR-N 7500 |
電子束負膠,高分辨率(30nm),對比度高(> 5),良好的耐等離子刻蝕性能,可以用于混合曝光。靈敏度中等,介于AR-N 7700和PMMA之間。 |
AR-N 7700 |
電子束負膠,化學放大膠,高靈敏度,高對比度,良好的耐等離子刻蝕刻蝕性能,可以用于混合曝光。 |
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AR-N 7720 |
電子束負膠,用于三維曝光工藝。 化學放大膠,高靈敏度,對比度非常?。?lt;1),非常適合制作三維結構;也可以用于衍射光學及全息器件的加工。 |
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X AR-N 7700/30 SX AR-N 7700/37 |
化學放大負膠,高分辨率,良好的耐等離子刻蝕能力,適合混合曝光。高靈敏度,靈敏度比AR-N 7700更高。 |
配套試劑
(Process chemicals)
類型 |
型號 |
特性 |
顯影液 |
AR 300-26, -35 |
紫外光刻膠用 顯影液 |
AR 300-44,-46,-47, -475 |
紫外/電子束光刻膠用 顯影液 |
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AR 600-50,-51,-55,-56 |
PMMA膠用 顯影液 |
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定影液 |
AR 600-60,-61 |
電子束光刻膠用 定影液 |
除膠劑 |
AR 300-70, -72, -73,600-70 |
紫外/電子束光刻膠用 除膠劑 |
稀釋劑 |
AR 600-01…09 |
PMMA膠 稀釋劑 |
AR 300-12 |
紫外/電子束光刻膠用 稀釋劑 |
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增附劑 |
AR 300-80, HMDS |
紫外/電子束光刻膠用 增附劑 |
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